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中国成功制备光电气敏传感器开发新材料

时间:2014-06-23 点击:

近日,中科院新疆理化所的科研人员首次制备了CdS/ZnO核壳纳米线,该结构能够有效利用CdS的吸光特点,通过异质结调控载流子传输,提高材料的光电性能和传感性能,对光电气敏传感器的开发具有重要意义。

目前,构建一维的具有异质结结构的材料是光电探测和气敏检测领域的研究热点,具有两种组分的核壳纳米线是构造光电探测器和气敏传感器的理想材料,CdS和ZnO两种材料分别在光电探测和气敏检测方面具有优异的性能,研究这两种材料构建的异质结和光电增强机理。

中科院新疆理化所的科研人员首次制备了CdS/ZnO核壳纳米线,该结构能够有效利用CdS的吸光特点,通过异质结调控载流子传输,提高材料的光电性能 和传感性能。基于该材料的光电探测器感光响应时间约为26毫秒,而恢复时间仅为2.1毫秒,在同类传感器中处于领先地位。

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